半導体光増幅器モジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大貫 紳一; 森本 慎太郎; 下瀬 佳治; 矢作 弓弦 |
| 发表日期 | 2018-04-19 |
| 专利号 | JP2018063354A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅器モジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】無偏波の光を信号光として発生する信号光源30に入力側光ファイバ11を接続するとともに、SOAチップ10から出力された増幅後の信号光又は自然放出光の光強度を測定する光パワーメータ31に出力側光ファイバ12を接続する工程S3と、信号光源30からの信号光を入力側光ファイバ11により伝送させ、信号光がSOAチップ10に入力されている状態で、光パワーメータ31により測定された増幅後の信号光の光強度が最大となる位置に入力側光ファイバ11の一端側を固定する工程S6,S7と、を含む。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2018-04-19 |
| 申请日期 | 2016-10-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57375]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大貫 紳一,森本 慎太郎,下瀬 佳治,等. 半導体光増幅器モジュールの製造方法. JP2018063354A. 2018-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。