半导体氧化设备和制造半导体元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤俊一; 轴谷直人; 伊藤彰浩; 梅本真哉; 禅野由明; 山本高稔 |
| 发表日期 | 2011-11-23 |
| 专利号 | CN102255242A |
| 著作权人 | 株式会社理光 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体氧化设备和制造半导体元件的方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。 |
| 公开日期 | 2011-11-23 |
| 申请日期 | 2006-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57399]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤俊一,轴谷直人,伊藤彰浩,等. 半导体氧化设备和制造半导体元件的方法. CN102255242A. 2011-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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