光发射器件
文献类型：专利
| 作者 | 城岸直辉; 樱井淳; 村上朱实; 近藤崇; 早川纯一朗 |
| 发表日期 | 2018-01-19 |
| 专利号 | CN107611771A |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光发射器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种光发射器件，其包括：第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与第一台面结构连接，并且第二台面结构包括光接收部分，光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在第一台面结构和第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。 |
| 公开日期 | 2018-01-19 |
| 申请日期 | 2017-06-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 城岸直辉,樱井淳,村上朱实,等. 光发射器件. CN107611771A. 2018-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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