一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 武爱民; 何兵; 仇超; 盛振; 高腾; 甘甫烷; 王曦 |
| 发表日期 | 2018-06-12 |
| 专利号 | CN108155562A |
| 著作权人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源。 |
| 公开日期 | 2018-06-12 |
| 申请日期 | 2016-12-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武爱民,何兵,仇超,等. 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法. CN108155562A. 2018-06-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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