半導体光学素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治 |
| 发表日期 | 2018-08-23 |
| 专利号 | JP2018133466A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光学素子 |
| 英文摘要 | 【課題】加熱部が発生する熱流を効率良く活性層に伝達する。 【解決手段】活性層13を有した半導体レーザ10aとシリコンフォトニクス基板41とが接合した半導体光学素子100aにおいて、半導体レーザ10aは、活性層13が加熱部としての抵抗加熱膜28により加熱されるものであり、活性層13とシリコンフォトニクス基板41との距離d3は、抵抗加熱膜28とシリコンフォトニクス基板41との距離よりも短い。 【選択図】図7 |
| 公开日期 | 2018-08-23 |
| 申请日期 | 2017-02-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57553]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治. 半導体光学素子. JP2018133466A. 2018-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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