雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 水村通伸; 野寺伸武; 松島吉明; 田中優數; 松本隆夫; 中川英俊 |
| 发表日期 | 2018-06-01 |
| 专利号 | TW201820731A |
| 著作权人 | 日商V科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法 |
| 英文摘要 | 基板上若存在退火處理間的接合部分，其被辨識為接合不均勻。本發明的雷射照射裝置包括：光源，其產生雷射光；投射透鏡，其對被玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個所包覆的非晶矽薄膜的指定區域照射雷射光進行退火處理；以及投射光罩圖案，其設在投射透鏡上，並設有複數個開口部，以使雷射光被照射到複數個薄膜電晶體的各個之上，其中投射透鏡在對於玻璃基板上的指定方向的退火處理結束的情況下，移動至指定方向的正交方向後，再度對指定方向進行退火處理，投射光罩圖案於正交方向，由外側列向內側列，逐漸增加開口部的數量。 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 申请日期 | 2017-11-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日商V科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水村通伸,野寺伸武,松島吉明,等. 雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法. TW201820731A. 2018-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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