半導体レーザ·ダイオード、半導体レーザ·ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ·ダイオード装置
文献类型：专利
| 作者 | テーガー セバスチャン; バッハマン アレクサンダー |
| 发表日期 | 2018-06-28 |
| 专利号 | JP2018101794A |
| 著作权人 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ·ダイオード、半導体レーザ·ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ·ダイオード装置 |
| 英文摘要 | 【課題】温度分布の不均一性を減少させる半導体レーザ·ダイオードを提供する 【解決手段】動作中に放射取り出し表面を介してレーザ放射を放出する活性層11と互いに上下に縦に設けられた半導体層を有する半導体層積層体1であって、放射取り出し表面が半導体層積層体の側面によって形成される、半導体層積層体と、半導体層積層体の主表面上に相互に横方向に隣接する熱障壁層2および金属コンタクト層5とを備え、熱障壁層が電気絶縁性多孔質材料によって形成される、半導体レーザ·ダイオードを特定する。その結果、動作中に生じる熱を、ヒートシンク20まで金属コンタクト層5を介して伝達し、二次元温度勾配の形成を回避し、端面発光体における熱レンズを打ち消す。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2018-06-28 |
| 申请日期 | 2018-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | テーガー セバスチャン,バッハマン アレクサンダー. 半導体レーザ·ダイオード、半導体レーザ·ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ·ダイオード装置. JP2018101794A. 2018-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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