Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts
文献类型：专利
| 作者 | KANSKAR, MANOJ; CHEN, ZHIGANG |
| 发表日期 | 2019-02-07 |
| 专利号 | US20190044302A1 |
| 著作权人 | NLIGHT, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts |
| 英文摘要 | Laser diode submounts include a SiC substrate on which a thick conductive layer is supplied to use in mounting a laser diode. The thick conductive layer is typically gold or copper, and can be electrically coupled to a base laser that is used to define laser diode couplings. |
| 公开日期 | 2019-02-07 |
| 申请日期 | 2018-08-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57730]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NLIGHT, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KANSKAR, MANOJ,CHEN, ZHIGANG. Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts. US20190044302A1. 2019-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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