一种高偏超辐射发光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 刘占元; 陈硕; 王爱民; 古丽娟 |
| 发表日期 | 2015-03-25 |
| 专利号 | CN104466663A |
| 著作权人 | 国家电网公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高偏超辐射发光二极管 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括保偏光纤、第二透镜、偏振片、磁环、旋光晶体，所述光隔离器集成与所述管壳内，通过在发光管内管芯之后增加透镜、偏振片、旋光晶体和磁环，即把光隔离器的空间元件集成在超辐射二极管管壳内的热沉基底之上，这样不仅能够减小系统的空间体积，降低费用，同时热沉的控温能够确保整体系统的稳定性和可靠性；同时利用高消光比的偏振片来进一步提高管芯本身出光的消光比使得整个发光管的输出光的消光比达到30dB以上，能够实现自带隔离器功能的超辐射发光二极管，提高器件的集成性和稳定性的同时，也能保证高消光比保偏光纤输出。 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 申请日期 | 2014-12-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57798]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国家电网公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘占元,陈硕,王爱民,等. 一种高偏超辐射发光二极管. CN104466663A. 2015-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。