多增益介质高功率半导体薄片激光器
文献类型:专利
| 作者 | 张鹏 ; 蒋茂华; 朱仁江; 范嗣强; 张玉
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| 发表日期 | 2016-06-08 |
| 专利号 | CN105655871A |
| 著作权人 | 重庆师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多增益介质高功率半导体薄片激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种多增益介质高功率半导体薄片激光器,包括泵浦源、增益介质镜、后端腔镜和输出耦合镜,所述泵浦源和增益介质镜分别为多个且一一对应并配合设置,各增益介质镜同时用于作为反射镜与后端腔镜和输出耦合镜配合形成一折叠式光学谐振腔;所述折叠式光学谐振腔中还设置有用于倍频的非线性晶体;通过将增益介质镜设置为多个,并分别独立设置多个泵浦源,能够有效保证成倍地扩大激光器的增益,增益倍数取决于增益介质镜的各数,并且大幅度降低整个激光器的热效应,避免高温对增益介质镜的影响,保证半导体薄片激光器的稳定性和寿命,同时成倍地提高激光器的输出功率,并且光束质量优良,结构简单紧凑。 |
| 公开日期 | 2016-06-08 |
| 申请日期 | 2016-03-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57847] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 重庆师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张鹏,蒋茂华,朱仁江,等. 多增益介质高功率半导体薄片激光器. CN105655871A. 2016-06-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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