一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨青; 徐鹏飞; 汤明炜; 王喆超; 李海峰; 刘旭 |
| 发表日期 | 2017-11-24 |
| 专利号 | CN107394582A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。本发明还公开上述高偏振单模横向发光纳米带激光器的制备方法，包括：通过化学气相沉积法制备半导体纳米带，将制备的半导体纳米带放置于基底上，将基底置于荧光显微镜光泵浦系统中，采用脉冲激光光源做为泵浦光对半导体纳米带进行激发，由所述半导体纳米带出射由低阈值横向光。本发明采用化学气相沉积法，实现单步骤批量生长制备独特纳米带结构，利用荧光显微系统对纳米带结构进行泵浦激发，可获得同时具有高偏振特性、单模特性和低阈值特性的横向发射激光。 |
| 公开日期 | 2017-11-24 |
| 申请日期 | 2017-07-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57905]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨青,徐鹏飞,汤明炜,等. 一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法. CN107394582A. 2017-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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