边发射激光器耦合结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 何慧敏; 孙瑜; 刘丰满 |
| 发表日期 | 2018-11-23 |
| 专利号 | CN108879329A |
| 著作权人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边发射激光器耦合结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种边发射激光器耦合结构及其制作方法，其中所述方法包括：在第一基板表面开设至少一个凹槽；相应地，凹槽两侧形成凸起；在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器；其中，凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面；将至少一个凸起从第一基板上切割下来，得到块体；将块体贴装至第二基板的第一表面，并且使块体的第二表面朝向第二基板的第一表面；第一基板的第一表面上或第二表面一侧设置有待耦合器件的入光面，第二表面与第一表面相对设置。通过本发明，能够大批量生产出一种边发射激光器耦合结构，使得边发射激光器的出射光不经反射直接射向待耦合器件的入光面。 |
| 公开日期 | 2018-11-23 |
| 申请日期 | 2018-08-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57956]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何慧敏,孙瑜,刘丰满. 边发射激光器耦合结构及其制作方法. CN108879329A. 2018-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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