LASER A SEMICONDUCTEUR
文献类型：专利
| 作者 | HITOSHI, KAGAWA, ET, RYO, HATTORI |
| 发表日期 | 1988-10-07 |
| 专利号 | FR2613548A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | LASER A SEMICONDUCTEUR |
| 英文摘要 | UN LASER A SEMICONDUCTEUR COMPREND UNE PELLICULE DE PROTECTION DE SURFACE D'EXTREMITE 10 QUI COMPREND UNE PELLICULE DE ALO 1 AYANT UNE EPAISSEUR OPTIQUE DE L4, ET UNE PELLICULE DE SIO 2 AYANT UNE EPAISSEUR OPTIQUE DE L4, QUI EST FORMEE SUR LA PELLICULE DE ALO. CETTE STRUCTURE PERMET D'OBTENIR PLUS AISEMENT ET DE FACON PLUS STABLE UNE REFLECTIVITE DANS LA PLAGE DE 21 3 POUR LA SURFACE D'EXTREMITE PAR LAQUELLE LA LUMIERE LASER EST EMISE. |
| 公开日期 | 1988-10-07 |
| 申请日期 | 1988-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HITOSHI, KAGAWA, ET, RYO, HATTORI. LASER A SEMICONDUCTEUR. FR2613548A1. 1988-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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