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光素子の製造方法

文献类型:专利

作者浅賀 達也; 渡辺 和昭; 岩野 英明
发表日期1993-01-29
专利号JP1993021816A
著作权人セイコーエプソン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光素子の製造方法
英文摘要【構成】 光源と光記憶媒体からの信号を受ける光電変換素子を同一パッケージに収めた光素子において、台座104の基板106A、106Bの実装面をz軸方向の基準にして、半導体レーザ102を実装する。 【効果】 フォトダイオードと半導体レーザを極めて高い位置精度で実装できる。
公开日期1993-01-29
申请日期1991-07-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59731]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位セイコーエプソン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
浅賀 達也,渡辺 和昭,岩野 英明. 光素子の製造方法. JP1993021816A. 1993-01-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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