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半導体レーザ·フオトダイオード一体型素子及び光学ヘツド

文献类型:专利

作者武田 高司
发表日期1993-05-18
专利号JP1993120714A
著作权人セイコーエプソン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ·フオトダイオード一体型素子及び光学ヘツド
英文摘要【目的】 半導体レーザ駆動電流の影響がなく、しかも、単一電源駆動を可能にする半導体レーザ·フォトダイオード一体型素子、及び、光学ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザのアノード及びカソード端子をフォトダイオードと完全に切り離し、半導体レーザ·フォトダイオード一体型素子をヘッドに取り付ける部材を絶縁体にする。 【効果】 半導体レーザの駆動電流による信号のオフセット及び雑音を排除でき、しかも、正の単一電源で駆動する事を可能にした。
公开日期1993-05-18
申请日期1991-10-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59752]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位セイコーエプソン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
武田 高司. 半導体レーザ·フオトダイオード一体型素子及び光学ヘツド. JP1993120714A. 1993-05-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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