マルチビーム半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 根本 和彦; 大畑 豊治; 小川 正道 |
| 发表日期 | 1994-04-15 |
| 专利号 | JP1994104535A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | マルチビーム半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器間に熱干渉を引き起こすことなくレーザビームの間隔を狭小化し得るマルチビーム半導体レーザを提供し、これを用いた光ディスク装置、光磁気ディスク装置等のシステムの設計自由度の向上をはかる。 【構成】 {100}結晶面を主面とする半導体基体の主面上に、〈001〉結晶軸方向に共振器長を有する複数のレーザ20A、20Bを各光出射端面を対向するように配置して、これら各光出射端面間に、基体の主面に対し45°を成す{110}結晶面より成る結晶成長ミラー面9A、9Bを各光出射端面に対向して設けて構成する。 |
| 公开日期 | 1994-04-15 |
| 申请日期 | 1992-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59812]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 根本 和彦,大畑 豊治,小川 正道. マルチビーム半導体レーザ. JP1994104535A. 1994-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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