II-VI族半導体レーザおよびその形成法
文献类型：专利
| 作者 | 松岡 隆志; 川口 悦弘; 大野 哲一郎 |
| 发表日期 | 1995-03-17 |
| 专利号 | JP1995074424A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族半導体レーザおよびその形成法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族半導体レーザを提供する。 【構成】 逆台形状の溝を有する半導体基板上にII-VI族化合物半導体を活性層に持つ半導体レーザを形成するに際し、溝底部に形成された活性層104の横方向の延長線上には活性層104よりも屈折率の低いキャリア閉じ込め層103や光閉じ込め層102を設けることで、横方向の光閉じ込めが行えることとなり、この電流狭窄と光閉じ込めが効率的に行われることにより、高性能II-VI族半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1995-03-17 |
| 申请日期 | 1993-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59862]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松岡 隆志,川口 悦弘,大野 哲一郎. II-VI族半導体レーザおよびその形成法. JP1995074424A. 1995-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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