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半導体レ—ザ装置およびその製造方法

文献类型:专利

作者中西 秀行; 上野 明; 永井 秀男; 吉川 昭男
发表日期2000-07-14
专利号JP2000196177A
著作权人松下電子工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レ—ザ装置およびその製造方法
英文摘要【課題】 光学素子を容易に半導体素子の上に載置できるようにする。 【解決手段】 半導体レーザチップ62を搭載したシリコン基板66の周りを囲む枠体42に、シリコン基板66をはさんで対向する2つの凸起を設け、枠体42の2つの凸起の間に光学素子103を載置する。
公开日期2000-07-14
申请日期1993-10-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59889]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電子工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中西 秀行,上野 明,永井 秀男,等. 半導体レ—ザ装置およびその製造方法. JP2000196177A. 2000-07-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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