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光電子素子

文献类型:专利

作者上野 明; 中西 秀行; 永井 秀男; 吉川 昭男
发表日期2000-12-19
专利号JP2000353847A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光電子素子
英文摘要【課題】 光電子装置に搭載された光学素子や発光素子を、外部からの異物より保護する。 【解決手段】 基板22の両面にそれぞれ第1の凹部26および第2の凹部27を設け、第1の凹部26の上面にビームスプリット用ホログラムパターン21を形成し、第2の凹部27の上面に3ビーム発生用グレーティングパターン23を形成する。このような構成とすることにより、ビームスプリット用ホログラムパターン21は基板22の面に設けた第1の凹部26の土手部分28によって保護されることになり、また3ビーム発生用グレーティングパターン23は基板22の他の面に設けた第2の凹部27の土手部分29によって保護されることになる。
公开日期2000-12-19
申请日期1993-12-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59893]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
上野 明,中西 秀行,永井 秀男,等. 光電子素子. JP2000353847A. 2000-12-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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