光電子素子
文献类型:专利
作者 | 上野 明; 中西 秀行; 永井 秀男; 吉川 昭男 |
发表日期 | 2000-12-19 |
专利号 | JP2000353847A |
著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光電子素子 |
英文摘要 | 【課題】 光電子装置に搭載された光学素子や発光素子を、外部からの異物より保護する。 【解決手段】 基板22の両面にそれぞれ第1の凹部26および第2の凹部27を設け、第1の凹部26の上面にビームスプリット用ホログラムパターン21を形成し、第2の凹部27の上面に3ビーム発生用グレーティングパターン23を形成する。このような構成とすることにより、ビームスプリット用ホログラムパターン21は基板22の面に設けた第1の凹部26の土手部分28によって保護されることになり、また3ビーム発生用グレーティングパターン23は基板22の他の面に設けた第2の凹部27の土手部分29によって保護されることになる。 |
公开日期 | 2000-12-19 |
申请日期 | 1993-12-09 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59893] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野 明,中西 秀行,永井 秀男,等. 光電子素子. JP2000353847A. 2000-12-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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