半導体レーザーの光強度制御装置
文献类型：专利
| 作者 | 足利 英昭 |
| 发表日期 | 1996-05-07 |
| 专利号 | JP1996116119A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザーの光強度制御装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 複数本のレーザービームを用いたレーザー画像形成装置において、個々の半導体レーザー素子の点灯時及び/又は消灯時における微弱発光の光強度を検出し、点灯時及び/又は消灯時のバイアス電流制御等を行って、更なる高画質化を実現することが可能であり、制御動作を簡単に行うことが可能な半導体レーザーの光強度制御方法を提供することを目的とする。 【構成】 n個の半導体レーザー素子を点灯状態及び消灯状態の可能な全ての2n 通りの組合せに設定した際に、前記光強度検出手段によって検出されるn本のレーザービームの光強度の検出値に基づいて、所定の連立方程式を解くことにより、n個の半導体レーザー素子の点灯時の光強度及び/又は消灯時の光強度を求め、当該光強度に応じてn個の半導体レーザー素子の点灯電流及び/又はバイアス電流を制御する制御手段とを備えるように構成した。 |
| 公开日期 | 1996-05-07 |
| 申请日期 | 1994-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59929]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足利 英昭. 半導体レーザーの光強度制御装置. JP1996116119A. 1996-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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