半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 上野山 雄 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330632A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さなどを最適に設定することによって、安定な自励発振特性を有し、かつ、信頼性の高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層106と、活性層106を挟むクラッド構造とを備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、クラッド構造は、1×1018cm-3以上のn型不純物がドープされた可飽和吸収層104を含んでいる。可飽和吸収層104中のキャリア寿命は、高濃度の不純物によって低減され、安定した自励発振特性が得られる。その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1996-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60010]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,足立 秀人,上山 智,等. 半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置. JP1999330632A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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