GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 真佐知; 古屋 貴士 |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107317A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子 |
| 英文摘要 | 【課題】基板を導電性とし、高品質なGaN系結晶を成長させることができ、構成上、基板の裏面及び表面のそれぞれにn型及びp型の電極を設けることができ、電極の配置が要する面積及び光の取り出しに支障を来すことがなく、更に、劈開性に優れGaN系素子のチップ化が容易であり、特にGaN系レーザダイオード(LED)では、発光効率、光の取り出し効率の向上が図れるGaN系素子用基板を提供する。 【解決手段】この発明のGaN系素子用基板は、シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に堆積された金属アルミニウム単結晶層と、前記金属アルミニウム単結晶層上に成長したAlx Iny Ga(1-x-y) N(但し0≦x<1、0≦y<1,0≦(x+y)<1)で表される単結晶層と、より構成される。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 真佐知,古屋 貴士. GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子. JP1998107317A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。