II-VI族半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉井 重雄; 横川 俊哉; 上山 智; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107382A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体材料と良好な熱接触を持ち、熱伝導率が良好で、かつ十分な電気絶縁性を持つ絶縁層を設けたII-VI族半導体素子を提供する。 【解決手段】 p型II-VI族化合物半導体である、p型ZnSe層606の表面を不活性ガスであるXeを含むプラズマに曝す。それにより絶縁層607を形成する。その絶縁膜を電流狭窄層として用いたII-VI族半導体レーザとする。その結果、絶縁層の密着性が向上し素子の放熱と耐久性が改善される。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60040]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉井 重雄,横川 俊哉,上山 智,等. II-VI族半導体素子及びその製造方法. JP1998107382A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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