面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 瀬古 保次 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200204A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ |
| 英文摘要 | 【課題】 発光特性が良好で、加工精度が高く信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の第1の特徴は、半導体基板表面に形成された凹部内に、第1導電型の半導体多層反射膜と、少なくともひとつの量子井戸構造をもつ量子井戸活性層と、第2導電型の半導体多層反射膜と、第2導電型のコンタクト層とが順次積層されて、面発光型の半導体レーザを構成し、前記第2導電型のコンタクト層表面が、前記半導体基板表面とほぼ同レベルとなるように、埋めこまれてなり、前記凹部内の積層表面に位置する第2導電型のコンタクト層表面に光導出領域を残して形成された第2電極とを具備したことを特徴とする面発光型半導体レーザにある。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60055]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀬古 保次. 面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ. JP1998200204A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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