モノリシック受発光素子およびその製造方法およびそれを用いた光ピックアップ
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昇二郎; 川瀬 健夫 |
| 发表日期 | 1998-11-04 |
| 专利号 | JP1998294527A |
| 著作权人 | SEIKO EPSON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | モノリシック受発光素子およびその製造方法およびそれを用いた光ピックアップ |
| 英文摘要 | 【課題】 発光部でのレーザ発振特性と、受光部での光-電流変換効率とをともに良好に確保できるモノリシック受発光素子を提供すること。 【解決手段】 半導体基板101上の少なくとも2つの領域に、発光部100Aと受光部100Bを形成する。発光部100Aは垂直共振器型面発光レーザ100Aからなり、受光部100Bは共振器構造を持つPIN型フォトダイオードからなる。吸収層105Bの量子井戸の幅は発光部100Aの活性層の量子井戸の幅よりも広く、共振器長は環境温度において100Aの出射光の波長に対して共振するように構成されている。 |
| 公开日期 | 1998-11-04 |
| 申请日期 | 1997-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60068]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昇二郎,川瀬 健夫. モノリシック受発光素子およびその製造方法およびそれを用いた光ピックアップ. JP1998294527A. 1998-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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