光半導体素子およびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 一実 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068151A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその作製方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 室温以上の比較的高い温度でも、準安定状態の持続が可能な結晶欠陥を有する光半導体素子およびその作製方法を提供する。 【解決手段】 光半導体素子は、基体1と、該基体の表面上に形成された半導体層3と、該半導体層の表面上に形成され、任意の光を透過できるショットキー電極5と、該基体の裏面上に形成されたオーミック電極2とを備え、該半導体層はプラズマ照射又はイオン注入によって導入された欠陥をしている。光半導体素子の作製方法は、基体の表面上に設けた半導体層3にプラズマ照射又はイオン注入することによって、該半導体層に欠陥を導入する工程と、前記半導体層の表面上に任意の光を透過できるショットキー電極5を、前記基体の裏面上にオーミック電極2を、それぞれ形成する工程と、を有する。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60087]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 一実. 光半導体素子およびその作製方法. JP1999068151A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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