3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好; 永井 誠二 |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126949A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】成長過程において量子箱が形成されるようにすることで、量子箱としての特性の向上及び製造の容易化を図ること。 【解決手段】活性層6は、膜厚約5nmのAl0.05Ga0.95N から成る障壁層62とその障壁層の中にGa0.8In0.2N から成る井戸箱61が島状に点在する量子箱構造である。Ga0.8In0.2N の格子定数とAl0.05Ga0.95N の格子定数の差のGa0.8In0.2N の格子定数に対する割合を0.02より大きくすることで、障壁層の上にGa0.8In0.2N を成長させる時、面状ではなく、点島状に成長することから、成長過程において、障壁層の中に井戸箱を点在させた量子箱構造を製造することができる。量子箱構造に活性層を形成したので、キャリア閉じ込め効果が高くなり、発光効率が向上する。又、薄膜成長工程において、量子箱が形成されるために、製造が極めて簡単となる。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1997-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,永井 誠二. 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法. JP1999126949A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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