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面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム

文献类型:专利

作者北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治; マイク ラルソン
发表日期1999-05-28
专利号JP1999145560A
著作权人株式会社日立製作所
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム
英文摘要【課題】 電流狭窄層をAlAs層あるいは微少Ga組成を有するAlGaAs層の選択酸化技術を使用して作製する場合、上部反射鏡の低屈折率半導体層としてAlAsなどを用いた場合にも、電流狭窄層直上で精度よくエッチングを停止させ歩留まりを向上することが可能な、低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザ,およびこれを用いた光送信モジュールとシステムを提供すること。 【解決手段】 上部反射鏡10と電流狭窄層7との間に、エッチング停止層12として燐系の化合物半導体材料、あるいは、それを少なくとも1層は含む半導体多層膜を導入する。これにより、素子作製工程における選択エッチングが可能となるとともに、上部反射鏡の反射率低下を抑制し、歩留まりのよい低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザが得られる。また、これを用いることにより、低電力消費の光送信モジュールおよびシステムを得ることができる。
公开日期1999-05-28
申请日期1997-11-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60131]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
北谷 健,近藤 正彦,中原 宏治,等. 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム. JP1999145560A. 1999-05-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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