面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 武政 敬三; 和田 浩; 高森 毅; 上條 健 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145555A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 InP系面発光レーザ用ミラー構造を構成する半導体多層膜の1ペアあたりの反射率を向上させる。 【解決手段】 III 族元素としてアルミニウムのみを含むIII-V族化合物半導体としてのAlAs0.6Sb0.4の酸化物を以て構成された第1膜と、このIII-V族化合物半導体よりも酸化スピードの遅い半導体としてのIn0.65Ga0.35As0.74P0.26を以て構成された第2膜とを交互に繰り返し積層した半導体多層膜を以てミラー構造12を構成してある。AlAs0.6Sb0.4およびIn0.65Ga0.35As0.74P0.26の格子定数は、それぞれInP基板の格子定数5.869Åに一致する。また、第1膜32のAlAs0.6Sb0.4の酸化物の屈折率8は、第2膜のIn0.65Ga0.35As0.74P0.26の屈折率3.4よりも6小さい。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60133]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武政 敬三,和田 浩,高森 毅,等. 面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法. JP1999145555A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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