窒化物系半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂; 藤本 英俊 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150296A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 成長後の熱処理を不要として低廉化及び生産性の向上を図りつつ、p型伝導層の品質を向上させ、長寿命化と信頼性の向上を図る。 【解決手段】 サファイア基板11上に、アンドープGaN下地層12、n-GaNコンタクト層13、n-AlGaN電流注入層14、GaN光ガイド層15、InGaN活性層16、GaN層光ガイド17、p-AlGaN電流注入層18、p-GaNコンタクト層19と、p側電極22との積層構造を備えた窒化物系半導体レーザにおいて、p型GaNコンタクト層19の表面酸素濃度を5×1018cm-3以下に設定し、かつ表面付近における酸素濃度の最大値を、面内における酸素濃度の平均値の5倍以下に設定した。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60140]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂,藤本 英俊. 窒化物系半導体素子及びその製造方法. JP1999150296A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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