GaN系半導体
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 直樹 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163404A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系半導体 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系半導体層を2段階に成長させることなく当該GaN系半導体層の格子欠陥を減少させる。即ち、出来るだけ少ない工程で出来るだけ高品質のGaN系半導体を提供する。 【解決手段】 金属からなる基板又は導電性半導体と金属からなるバッファ層との積層体の上に基板又はバッファ層が部分的に露出するようにSiO2からなるパターン層が形成される。GaN系半導体層は露出した面から選択的に成長され、パターン層の上では横方向に成長し、その表面は平坦となる。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 直樹. GaN系半導体. JP1999163404A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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