半導体レーザの回折格子形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 多田 仁史 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163457A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの回折格子形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 マイクロローディング効果を利用した従来の回折格子形成方法では、エッチングレートが大きくなればそのアンダーカット量も大きくなるので、回折格子のピッチ幅を一定にし深さだけを変えるよう制御するのは困難であった。 【解決手段】 光ガイド層上に、マスク面積の大きい領域と小さい領域とが存在するマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して光ガイド層を、メタンと水素とを含む混合ガスによりドライエッチングを行う。 【効果】 単にエッチングマスクのパターン形状を変えることにより、1回のエッチング工程で任意の場所に異なる深さの回折格子を形成でき、本法によって半導体レーザの量産化を実現できる。また、メタンと水素とを含む混合ガスによるドライエッチングにより行われるので、従来のようにエッチングレートが大きくなってもアンダーカット量が抑えられる。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60147]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 仁史. 半導体レーザの回折格子形成方法. JP1999163457A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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