GaN系半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 岡川 広明; 大内 洋一郎; 宮下 啓二; 谷口 浩一; 只友 一行 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163402A |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系発光素子にブラッグ反射層を設け、転位線による発光素子の特性劣化を改善すると共にブラッグ反射層を保護し得る構造を提供すること。 【解決手段】 ベース基板1を最下層とし、その上にGaN系結晶からなる層を順次成長させ、発光層S3を含む積層体Sを形成し電極X、Yを形成してGaN系発光素子とする。このとき、積層体のいずれかの層を転位線制御層(図では層S1)とする。転位線制御層は、マスク層Mを設けた面に成長させた層であって、非マスク領域11を成長の出発面とし、マスク層上面を覆うまで成長してなる。積層体S中において、発光層S3および転位線制御層S1よりも下層側に、ブラッグ反射層B1を設け、マスク層Mによって、上層側を低転位化しながら同時に下層側のブラッグ反射層B1を保護する。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡川 広明,大内 洋一郎,宮下 啓二,等. GaN系半導体発光素子. JP1999163402A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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