半導体デバイス及び画像形成装置
文献类型：专利
| 作者 | 瀬古 保次 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340572A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体デバイス及び画像形成装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光素子アレイを高密度に形成することができる半導体デバイス及び該半導体デバイスを用いた画像形成装置を得る。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数のトランジスタ素子を備えたトランジスタアレイ31を、マトリクス状に配置された複数の発光素子を備えた発光素子アレイ29が形成された半導体基板上にモノリシックに形成する。また、発光素子アレイ29の同一行の発光素子の陰極を接続した陰極配線3の端部にパッド33を形成し、発光素子アレイ29の同一列の発光素子の陽極を接続した陽極配線4を列毎に各々異なるトランジスタ素子のコレクタに接続する。また、トランジスタアレイ31の同一行のトランジスタ素子のベースを接続したベース配線1の端部にパッド6を、トランジスタアレイ31の同一列のトランジスタ素子のエミッタを接続したエミッタ配線2の端部にパッド5を、各々形成する。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60200]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀬古 保次. 半導体デバイス及び画像形成装置. JP1999340572A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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