半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置
文献类型：专利
| 作者 | 愛清 武 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133736A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力半導体レーザ素子端面における光化学反応による有機物付着を防止するため、パッケージの清浄度を安定にかつ非常に良好に保つ方法を提供する。 【解決手段】気密封止装置のチャンバ内に酸素を導入し該チャンバ内で半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに紫外線を照射する第一の工程と、該チャンバを不活性ガスでパージしパッケージを外気に曝すことなく該不活性ガス雰囲気で気密封止する第二の工程からなる。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60231]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 愛清 武. 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置. JP2000133736A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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