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半導体レ—ザ装置、光ヘッド装置および半導体レ—ザ装置の製造方法

文献类型:专利

作者小野村 正明
发表日期2000-08-04
专利号JP2000215502A
著作权人TOSHIBA CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レ—ザ装置、光ヘッド装置および半導体レ—ザ装置の製造方法
英文摘要【課題】フロントAPCを具備し安定動作を維持しながら、光の利用効率が高く、半導体レーザと受光素子のアライメント精度が容易に得られる、小型軽量で低価格な集積化半導体レーザ装置を提供することにある。 【解決手段】光情報処理システム用集積化半導体レーザ装置に関して、半導体レーザから照射されたレーザを、レーザの光出力を検知するための半導体受光素子の受光面に反射して、外部に取り出す。また、半導体レーザ、APC用受光素子、光記憶媒体等の所望の対物からの回折された信号光を受光するための複数からなる半導体受光素子等のすべての光素子を半導体プロセスの精度で集積する。
公开日期2000-08-04
申请日期1999-01-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60248]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOSHIBA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
小野村 正明. 半導体レ—ザ装置、光ヘッド装置および半導体レ—ザ装置の製造方法. JP2000215502A. 2000-08-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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