近接場光発生素子及び光ヘッド
文献类型：专利
| 作者 | 中野 隆志; 富永 淳二; 阿刀田 伸史; 佐藤 彰; 波多野 卓史 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223767A |
| 著作权人 | 工業技術院長 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 近接場光発生素子及び光ヘッド |
| 英文摘要 | 【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおいて、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。 【解決手段】 高屈折率物質からなる固浸レンズ15の出射平面に、Alからなる第1の薄膜25と、SiNからなる中間膜26と、Alからなる第2の薄膜27とを設けた。薄膜25には第1の開口25aが形成され、薄膜27には第2の開口27aが形成され、開口27aは開口25aよりも小面積とされている。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60252]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 工業技術院長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 隆志,富永 淳二,阿刀田 伸史,等. 近接場光発生素子及び光ヘッド. JP2000223767A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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