半導体レーザ素子および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223789A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板から漏れる光が出射光に影響することを抑制可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子101は、サファイア基板1上に、GaNバッファ層2,n型層3,活性層4,p型層5,p側電極6およびn側電極7を備えており、n型層3内に、光吸収性を有する光非透過膜12が設けられている。サファイア基板1から上部に向けて光が漏れた場合でも、この光は光非透過膜12により吸収されるために活性層4に到達せず、活性層4から出射されるレーザ光に影響が及ばない。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60254]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 半導体レーザ素子および光ピックアップ装置. JP2000223789A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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