光半導体装置及びその製造方法、光記録装置
文献类型:专利
作者 | 田嶋 尚之; 君島 進 |
发表日期 | 2000-10-06 |
专利号 | JP2000276765A |
著作权人 | TOSHIBA CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法、光記録装置 |
英文摘要 | 【課題】発光素子からの前方出射光の損失を回避することができるとともに、製造工程を簡易化することができる光半導体装置を提供すること。 【解決手段】互いの表面同士を対向させて配置されたシリコン基板30とシリコン基板40と、シリコン基板40に設けられ、シリコン基板30,40の端部側へ前方出射光L1を出射するレーザダイオード45とを備え、シリコン基板40には、その端部側から入射した外部からの反射光L3をシリコン基板30側へ反射させるマイクロミラー41,42が設けられ、シリコン基板30には、マイクロミラー41,42で反射した反射光L3を受光する信号検出用フォトダイオード31,32が設けられている。 |
公开日期 | 2000-10-06 |
申请日期 | 1999-05-25 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60286] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | TOSHIBA CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田嶋 尚之,君島 進. 光半導体装置及びその製造方法、光記録装置. JP2000276765A. 2000-10-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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