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光半導体装置及びその製造方法、光記録装置

文献类型:专利

作者田嶋 尚之; 君島 進
发表日期2000-10-06
专利号JP2000276765A
著作权人TOSHIBA CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置及びその製造方法、光記録装置
英文摘要【課題】発光素子からの前方出射光の損失を回避することができるとともに、製造工程を簡易化することができる光半導体装置を提供すること。 【解決手段】互いの表面同士を対向させて配置されたシリコン基板30とシリコン基板40と、シリコン基板40に設けられ、シリコン基板30,40の端部側へ前方出射光L1を出射するレーザダイオード45とを備え、シリコン基板40には、その端部側から入射した外部からの反射光L3をシリコン基板30側へ反射させるマイクロミラー41,42が設けられ、シリコン基板30には、マイクロミラー41,42で反射した反射光L3を受光する信号検出用フォトダイオード31,32が設けられている。
公开日期2000-10-06
申请日期1999-05-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60286]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOSHIBA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
田嶋 尚之,君島 進. 光半導体装置及びその製造方法、光記録装置. JP2000276765A. 2000-10-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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