面発光レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸; 西川 尚男 |
| 发表日期 | 2001-06-08 |
| 专利号 | JP2001156396A |
| 著作权人 | SEIKO EPSON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光の放射角を小さく設定することを可能とし、さらに、酸素や水分などの半導体の性能を劣化させる物質に対して耐性のある面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は、半導体基板109上に、垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板109に垂直な方向にレーザ光を出射するものである。共振器を含む半導体堆積体120の上には、光透過性積層体140が設けられ、光透過性積層体140は、複数の光透過性層142,144が積層されて構成されている。光透過性層142,144の界面のうち、少なくとも2つの界面は、共振器の上方において、レンズ面150,152を有している。この面発光型半導体レーザ100の製造方法は、光透過性積層体140を構成する、少なくとも一つの光透過性層を、スタンパを利用して形成する工程を含むことが好ましい。 |
| 公开日期 | 2001-06-08 |
| 申请日期 | 1999-11-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60335]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸,西川 尚男. 面発光レーザおよびその製造方法. JP2001156396A. 2001-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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