半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 辻村 歩; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 木戸口 勲; 鈴木 政勝; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 2003-02-07 |
| 专利号 | JP2003037338A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。 【解決手段】 多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 |
| 公开日期 | 2003-02-07 |
| 申请日期 | 1999-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60346]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻村 歩,長谷川 義晃,石橋 明彦,等. 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置. JP2003037338A. 2003-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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