半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 宮永 良子; 鈴木 政勝 |
| 发表日期 | 2003-05-09 |
| 专利号 | JP2003133648A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体レーザ装置が発する雑音、特に光学的雑音を確実に低減できるようにする。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ装置1Aは、素子形成面が絶縁性を有する炭化シリコンからなるサブマウント2の上面と対向するように実装されている。n型コンタクト層13の下面における素子形成領域には、活性層から放出される自然放出光を吸収するエネルギーギャップを持つn型Inx Ga1-x Nからなる自然放出光吸収層15Aと、活性層において生成される生成光を活性層に閉じ込めると共に電子を活性層に閉じ込めるためのn型AlGaNからなるn型クラッド層16と、閉じ込められた電子及び正孔を再結合させて再結合光を生成するIny Ga1-y N(但し、y及びxは0 |
| 公开日期 | 2003-05-09 |
| 申请日期 | 2000-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,木戸口 勲,伴 雄三郎,等. 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置. JP2003133648A. 2003-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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