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半導体レーザ光源装置の製造方法

文献类型:专利

作者石原 久寛
发表日期2001-08-24
专利号JP2001230501A
著作权人株式会社三協精機製作所
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ光源装置の製造方法
英文摘要【課題】 2波長半導体レーザ光源装置において、各半導体レーザチップの位置決めを簡単な作業で精度良く行うことのできる方法を提案すること。 【解決手段】 2波長半導体レーザ光源装置1において、サブマウント3の上面3aに一方の半導体レーザチップ11を固着し、次に、他方の半導体レーザチップ12をサブマウント上面3aに載せて、双方の半導体レーザチップ11、12に小電流を流して発光させる。各半導体レーザチップ11、12の前方発光点間隔Lfと、後方発光点間隔Lrを同一、且予め設定された値となるように、これら半導体レーザチップ11、12の位置決めを行う。これにより、発光点間隔を精度良く設定できるだけでなく、各半導体レーザチップの出射光軸L11、L12の平行度も精度良く調整できる。
公开日期2001-08-24
申请日期2000-02-15
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60359]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社三協精機製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
石原 久寛. 半導体レーザ光源装置の製造方法. JP2001230501A. 2001-08-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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