半導体レーザ光源装置の製造方法
文献类型:专利
| 作者 | 石原 久寛 |
| 发表日期 | 2001-08-24 |
| 专利号 | JP2001230501A |
| 著作权人 | 株式会社三協精機製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ光源装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 2波長半導体レーザ光源装置において、各半導体レーザチップの位置決めを簡単な作業で精度良く行うことのできる方法を提案すること。 【解決手段】 2波長半導体レーザ光源装置1において、サブマウント3の上面3aに一方の半導体レーザチップ11を固着し、次に、他方の半導体レーザチップ12をサブマウント上面3aに載せて、双方の半導体レーザチップ11、12に小電流を流して発光させる。各半導体レーザチップ11、12の前方発光点間隔Lfと、後方発光点間隔Lrを同一、且予め設定された値となるように、これら半導体レーザチップ11、12の位置決めを行う。これにより、発光点間隔を精度良く設定できるだけでなく、各半導体レーザチップの出射光軸L11、L12の平行度も精度良く調整できる。 |
| 公开日期 | 2001-08-24 |
| 申请日期 | 2000-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60359] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社三協精機製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石原 久寛. 半導体レーザ光源装置の製造方法. JP2001230501A. 2001-08-24. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
