半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 野村 康彦; 後藤 壮謙; 古沢 浩太郎; 林 伸彦; 田尻 敦志; 井上 泰明; 庄野 昌幸 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340894A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 【解決手段】 MQW活性層7中に不純物としてSi、SeまたはZnが5×1015〜1×1019cm-3の範囲内で添加されている。MQW活性層7中の量子井戸層71の合計の厚みは20nm以上80nm以下に設定される。MQW活性層7の量子井戸層71の数は4以上7以下である。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 2000-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60363]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 康彦,後藤 壮謙,古沢 浩太郎,等. 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置. JP2000340894A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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