GaN系半導体レーザの駆動方法および装置
文献类型：专利
| 作者 | 早川 利郎; 袴田 和男 |
| 发表日期 | 2001-09-21 |
| 专利号 | JP2001257416A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系半導体レーザの駆動方法および装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系半導体レーザをパルス電流により駆動する際に、本来の駆動用パルス電流が加えられていない期間にバイアス電流によって生じるEL光を低減する。 【解決手段】 GaN系半導体レーザ20をパルス電流Epにより駆動する際に、少なくとも該パルス電流Epの立ち上がり時点よりも前の時点から立ち下がり時点まで続くパルス状のバイアス電流Ebを、このパルス電流Epと同期させて該半導体レーザ20に印加する。 |
| 公开日期 | 2001-09-21 |
| 申请日期 | 2000-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60378]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川 利郎,袴田 和男. GaN系半導体レーザの駆動方法および装置. JP2001257416A. 2001-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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