多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉井 誠一郎; 伊藤 国雄; 数村 勝 |
| 发表日期 | 2001-10-12 |
| 专利号 | JP2001284732A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 多波長の高出力なレーザ光を出射することが可能な多波長レーザ発光装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザアレイ素子の異なる波長を発振する第1レーザアレイ層及び第2レーザアレイ層を対向させて積層させて配置する。それぞれにおいて、導波本路121および導波本路123が連結導波路125により連結されているので、共振器122と共振器124が共有される。このため、別々の導波本路121及び123から発振されるレーザ光同士の波長及び位相双方の整合が行われ、各レーザ光はフェーズロックされるので集光レンズにより容易に集光することができ、高出力を得ることができる。 |
| 公开日期 | 2001-10-12 |
| 申请日期 | 2000-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60399]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉井 誠一郎,伊藤 国雄,数村 勝. 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法. JP2001284732A. 2001-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。