半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 茂稔; 山崎 幸生 |
| 发表日期 | 2001-10-26 |
| 专利号 | JP2001298243A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ピックアップ等へ応用して最適な窒化物半導体レーザ素子を提供し、また、集光特性の優れた光学式情報再生装置を実現する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、GaN基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、GaNコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記GaNコンタクト層の膜厚が、0.07μm以上80μm以下であることを特徴とする。また、本発明の光学式情報再生装置は上記半導体レーザ素子を光源として備える。 |
| 公开日期 | 2001-10-26 |
| 申请日期 | 2000-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 茂稔,山崎 幸生. 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置. JP2001298243A. 2001-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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