半導体レーザパワー制御方法および装置
文献类型:专利
| 作者 | 赤木 俊哉; 小西 信一; 久門 裕二; 山崎 行洋; 本多 泰啓 |
| 发表日期 | 2001-11-30 |
| 专利号 | JP2001331959A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザパワー制御方法および装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光学的情報記憶媒体の傾きに応じて対物レンズを傾けた場合に発生する記録膜上の光スポットの中心強度の低下を防ぎ、安定した中心強度をもたらすことが可能な、半導体レーザ制御方法および制御装置を提供する。 【解決手段】 CPU9で光学手段1から出射される出射ビームの出射光軸15に対する光ディスク4の傾きを光ディスク傾き検出手段6で検出し、対物レンズ2を対物レンズ傾け手段7で所定の傾きに傾けるとともに、対物レンズ2の傾きに応じて半導体レーザ10の出射パワーを補正することにより、対物レンズ2を傾けることによって生じる記録膜5上の光スポットの中心強度の低下を防ぎ、安定した中心強度を得ることができる。 |
| 公开日期 | 2001-11-30 |
| 申请日期 | 2000-05-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60423] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赤木 俊哉,小西 信一,久門 裕二,等. 半導体レーザパワー制御方法および装置. JP2001331959A. 2001-11-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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