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半導体レーザパワー制御方法および装置

文献类型:专利

作者赤木 俊哉; 小西 信一; 久門 裕二; 山崎 行洋; 本多 泰啓
发表日期2001-11-30
专利号JP2001331959A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザパワー制御方法および装置
英文摘要【課題】 光学的情報記憶媒体の傾きに応じて対物レンズを傾けた場合に発生する記録膜上の光スポットの中心強度の低下を防ぎ、安定した中心強度をもたらすことが可能な、半導体レーザ制御方法および制御装置を提供する。 【解決手段】 CPU9で光学手段1から出射される出射ビームの出射光軸15に対する光ディスク4の傾きを光ディスク傾き検出手段6で検出し、対物レンズ2を対物レンズ傾け手段7で所定の傾きに傾けるとともに、対物レンズ2の傾きに応じて半導体レーザ10の出射パワーを補正することにより、対物レンズ2を傾けることによって生じる記録膜5上の光スポットの中心強度の低下を防ぎ、安定した中心強度を得ることができる。
公开日期2001-11-30
申请日期2000-05-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60423]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
赤木 俊哉,小西 信一,久門 裕二,等. 半導体レーザパワー制御方法および装置. JP2001331959A. 2001-11-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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