半導体発光装置および半導体基板
文献类型：专利
| 作者 | 高須賀 祥一; 中西 直樹; 山中 一彦; 中西 秀行; 上田 大助 |
| 发表日期 | 2001-12-14 |
| 专利号 | JP2001345508A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置および半導体基板 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光素子の高速応答性および受光効率を向上させる。 【解決手段】 {100}面から[011]方向に約10°傾斜した面を主面とするシリコン単結晶基板5と、その上部に積層された絶縁層であるシリコン酸化膜層4と、シリコン酸化膜層4の上部に積層された{100}面を主面とするN型シリコン単結晶基板1よりなる。シリコン単結晶基板5まで到達する凹部の底面に半導体レーザ素子10が配置されている。 |
| 公开日期 | 2001-12-14 |
| 申请日期 | 2000-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高須賀 祥一,中西 直樹,山中 一彦,等. 半導体発光装置および半導体基板. JP2001345508A. 2001-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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