半導体レーザ素子および光学式情報再生装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 茂稔; 山崎 幸生; 種谷 元隆 |
| 发表日期 | 2001-03-30 |
| 专利号 | JP2001085796A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光学式情報再生装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 リップルを抑制したレーザを歩留まりよく生成する。 【解決手段】 GaN層と、Alx1Ga1-x1N(0.05≦x1≦0.2)下部クラッド層と、Iny1Ga1-y1N(0a1Inb1Ga1-a1-b1N1-e1-f1Pe1Asf1(0≦a1、0≦b1、a1+b1≦1、0≦e1、0≦f1、e1+f1a2Inb2Ga1-a2-b2N1-e2-f2Pe2Asf2(0≦a2、0≦b2、a2+b2≦1、0≦e2、0≦f2、e2+f2y2Ga1-y2N(0x2Ga1-x2N(0.05≦x2≦0.2)上部クラッド層と、をこの順に備えた半導体レーザ素子は、積層面に垂直方向のファーフィールドパターンにおけるリップルが抑制されるように、下部ガイド層および上部ガイド層の膜厚と組成を設定する。 |
| 公开日期 | 2001-03-30 |
| 申请日期 | 2000-07-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 茂稔,山崎 幸生,種谷 元隆. 半導体レーザ素子および光学式情報再生装置. JP2001085796A. 2001-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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